GT切200℃超高温石英振荡器来啦,高温那都不是事
来源：http://www.hneyq.com 作者：亿金电子 2020年09月15
GT切200℃超高温石英振荡器来啦,高温那都不是事
耐高温石英振荡器主要是应用在工业设备,以及一些环境较为复杂的产品或是设备之上,比如通信产品上,在比如车载电子产品上;一般来讲车载级别的晶振相较于工业级别晶振来说工作温度要高,工业级标准是-40-85℃,车载级别要求达到-40-105℃,甚至是-40-125℃;随着自动驾驶的发展,高温晶振的需求及要求都在不断提升;在这样的背景下,GT切200℃超高温石英振荡器问世了,那么这种晶振有有怎样的优势存在呢?
2020年6月5日,日本:RIVER的新型振荡器在200摄氏度以下的温度下提供的频率基准精确到50ppm以内.它具有7.9MHz至1.124GHz的频率范围,并带有电压控制选项和三种不同的输出类型.该振荡器基于一种称为GT-Cut的新型谐振器,与AT-Cut石英谐振器相比,该振荡器在温度范围内具有更好的稳定性,具有更高的能效,并且不易受到冲击和振动的影响.
目标应用包括汽车和电动汽车中的高温感应,油井钻探仪器和遥测,5G,航空航天以及工业过程控制.GT-cut振荡器的更好稳定性将提高这些行业中测量的准确性和可靠性.
RIVERELETEC首席执行官WakaoFujio先生说:”这些基于我们新的GT切割谐振器的新型振荡器将使我们的客户能够在最具挑战性的高温环境中提高其石油钻探和汽车仪器的精度.GT-cut谐振器,我们的新型Lamb波谐振器以及我们推出的世界上最小的音叉,证明了我们继续致力于研发投资,以进一步扩大RIVER在时间参考行业的长期领导地位.”
大河晶振是一家日本公开交易的技术公司,通过为每一代可听,可穿戴和定位的新一代产品提供世界上最小的石英谐振器,从而为第一级智能手机和消费电子公司提供竞争优势.RIVER在光刻制造方法,新颖的晶体包装和创新的密封技术,EBS,MDS方面的专业知识在过去的五十年中一直将其保持在行业的前列.
这款晶振的特征如下:
1)在宽工作温度范围(-40℃?200℃)下获得了很高的频率精度
2)广泛的宽频率输出范围(高达1124MHz)
3)提供多种输出格式(CMOS/LVDS/LVPECL)
4)VCXO(压控振荡器)模式可选
温频特性曲线如下:
规格参数如下表所示:
那么有人会问为什么是GT切,现在不是AT切常用吗?从这款压控晶振的温频特性图可知,GT切和AT切都能够使得晶振的工作温度能够达到200℃,甚至更高,但是AT切的产品频率随温度变化比较大,温度到极限之后对频率稳定性的影响非常大;反观GT切方式的,特性曲线几乎层直线,这就表明频率随温度的变化很小,在高温环境下也很稳定,这就是采用GT切的理由.
耐高温石英振荡器主要是应用在工业设备,以及一些环境较为复杂的产品或是设备之上,比如通信产品上,在比如车载电子产品上;一般来讲车载级别的晶振相较于工业级别晶振来说工作温度要高,工业级标准是-40-85℃,车载级别要求达到-40-105℃,甚至是-40-125℃;随着自动驾驶的发展,高温晶振的需求及要求都在不断提升;在这样的背景下,GT切200℃超高温石英振荡器问世了,那么这种晶振有有怎样的优势存在呢?
目标应用包括汽车和电动汽车中的高温感应,油井钻探仪器和遥测,5G,航空航天以及工业过程控制.GT-cut振荡器的更好稳定性将提高这些行业中测量的准确性和可靠性.
RIVERELETEC首席执行官WakaoFujio先生说:”这些基于我们新的GT切割谐振器的新型振荡器将使我们的客户能够在最具挑战性的高温环境中提高其石油钻探和汽车仪器的精度.GT-cut谐振器,我们的新型Lamb波谐振器以及我们推出的世界上最小的音叉,证明了我们继续致力于研发投资,以进一步扩大RIVER在时间参考行业的长期领导地位.”
大河晶振是一家日本公开交易的技术公司,通过为每一代可听,可穿戴和定位的新一代产品提供世界上最小的石英谐振器,从而为第一级智能手机和消费电子公司提供竞争优势.RIVER在光刻制造方法,新颖的晶体包装和创新的密封技术,EBS,MDS方面的专业知识在过去的五十年中一直将其保持在行业的前列.
这款晶振的特征如下:
1)在宽工作温度范围(-40℃?200℃)下获得了很高的频率精度
2)广泛的宽频率输出范围(高达1124MHz)
3)提供多种输出格式(CMOS/LVDS/LVPECL)
4)VCXO(压控振荡器)模式可选
温频特性曲线如下:
| Item | Specifications | Unit | Remarks | |||
| Min | Nom | Max | ||||
| Nominalfrequency | 7.9 | 1124 | MHz | |||
| FrequencyDeviation | -20 | - | +20 | ppm | -40~+125°c | |
| -50 | - | +50 | -40~+200°c | |||
| Supplyvoltage(VDD) | TypeL | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V | |
| TypeN | 2.375 | 2.5 | 2.625 | |||
| Currentconsumption | CMOS | 20 | 25 | mA | Noloaded | |
| LVDS | 23 | |||||
| LVPECL | 54 | |||||
| Randomjitter(RJ) | 6 | ps | VDD=3.3V | |||
| Frequencypullingrange | ±50 | ppm | Positiveslope,whenVCXOselected | |||
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