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首頁進(jìn)口晶振SG-636PTF貼片式振蕩器,進(jìn)口晶振,東莞愛普生晶振代理,SG-636PTF 40.0000MC3:ROHS

SG-636PTF貼片式振蕩器,進(jìn)口晶振,東莞愛普生晶振代理,SG-636PTF 40.0000MC3:ROHS

頻率：2.0~135MHZ
尺寸：10.5x5.8mm詳細(xì)請瀏覽PDF文檔
應(yīng)　用： 愛普生晶振產(chǎn)品本身外觀是多種化,"SG-636PTF 40.0000MC3:ROHS",體積有大有小,有二個(gè)腳SMD焊接模式,也有三個(gè)腳SMD焊接模式,一樣有四個(gè)腳焊接模式,還有時(shí)鐘模塊焊接模式,產(chǎn)品具有無源,也有帶電壓模式的晶體系列.應(yīng)用范圍...

SG-636PTF貼片式振蕩器,進(jìn)口晶振,東莞愛普生晶振代理,"SG-636PTF 40.0000MC3:ROHS",愛普生晶振晶體元器件將進(jìn)一步致力于小型,高穩(wěn)定,高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開拓廣闊前景. 愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.

項(xiàng)目	記號	SG-636PTF	條件
頻率	f_nom	2.0~135MHZ
頻率容許偏差	f_tol	±20x10−6, ±50x10−6
頂點(diǎn)溫度	Ti	+25±5°C
二級溫度系數(shù)	B	(−3.5±1.0)x10−8/°C2
負(fù)載容量	CL	7.0pF/9.0pF/12.5pF
串聯(lián)電阻	R1	65kÙ 最大值
絕對最大激勵(lì)等級	DLmax.	1μW
推薦激勵(lì)等級	DL	0.1μW
并聯(lián)電容	C0	0.8pF 典型值
頻率老化程度	f_age	±3x10-6	+25±3°C，第一年
工作溫度范圍	T_use	-20°C～+70°C
保存溫度范圍	T_stg	-55°C～+125°C	單件保管

"SG-636PTF 40.0000MC3:ROHS",晶振在產(chǎn)品應(yīng)用中頻率偏差超過要求怎么辦呢？

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個(gè)方法：調(diào)整外部電容,Cd和CG的值.如果由頻率計(jì)數(shù)器測量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值）,以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然.

可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶體試用.試用晶體具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話.請檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后.根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容,并采用低電容的晶體）的情況.

愛普生晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).
"SG-636PTF 40.0000MC3:ROHS",愛普生晶振晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.

聯(lián)系人：黃娜

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SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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網(wǎng)站：http://www.hneyq.com
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