Bomar晶振使用规格定义
来源：http://www.hneyq.com 作者：亿金电子 2019年03月12
美国BomarCrystal成立至今成为国际有名的频率元件制造商,致力于满足各领域客户对于晶振的使用需求.为了更方便的服务广大用户,在世界各地设有代理商以及经销商,亿金电子就是其中之一.以下为Bomar晶振使用规格定义.
Bomar石英晶体振荡器
一种定时装置,由晶体和振荡电路组成,提供特定参考频率的输出波形.
VCXO晶振（压控晶体振荡器）
一种振荡器,其输出频率随振荡器控制引脚的电压变化而变化.
TXCO晶振（温度补偿晶体振荡器）
一种调节温度变化频率的振荡器,通常对校准频率进行周期性的外部调整.这是为了补偿晶体随时间的老化.
OCXO晶振（烤箱控制晶体振荡器）
一种使用烤箱稳定频率变化的振荡器,也是我们常说的恒温晶体振荡器.
晶振的标称频率（或中心频率）
振荡器的指定参考频率,通常以兆赫兹和千赫兹为单位,32.768K是最为常用的千赫兹晶振.
频率稳定性
与一组操作条件相关的中心频率的频率偏差量,以百万分率（ppm）表示.这些条件包括：工作温度范围,电源电压和输出负载.
晶振晶体的频率容差
晶振允许偏差,与参考温度下的标称频率（通常为25℃）
工作温度范围
满足规格特性的温度范围.这需要仔细说明,因为它会影响成本.
存储温度范围
有源晶振温度范围,可以保持放电状态的规格特性（无输入电压,电流或功率）.暴露于该温度以上的温度可能导致特性退化或破坏.
频率老化
在指定条件下运行指定时间长度时的频率漂移量.
逻辑层次
定义为Ouptut电压逻辑高电平或“逻辑1”和输出电压逻辑低电平或“逻辑0”电压“0”电平（最大值）：+0.4VDCTTL,+0.5VDCHCMOS用于Vdd=5VDC（Vdd：电源）电压）电压“1”电平（最小）：+2.5VDCTTL,+4.5VDCHCMOS,Vdd=5VDC
有源晶振的三态输出
具有此功能的振荡器允许输出进入高阻态.通过将逻辑控制电压施加到振荡器的引脚1来激活该特征.
电源电压（或输入电压）
振荡器工作所需的直流输入电压.目前通常使用5VDC,其中3.3VDC用于便携式设备.
电源电流（或输入电流）
振荡器从电源消耗的电流量,通常以毫安为单位.
上升/下降时间
上升时间定义为从输出逻辑低到输出逻辑高的转换时间.下降时间定义为从输出逻辑高到输出逻辑低的转换时间.
占空比（或对称性）
输出波形均匀性的度量.全周期和半周期的比率.对于CMOS,负载额定值为1/2VDC,TTL负载额定值为1.4VDC.
拉动VCXO晶振的范围
参考条件下VCXO的输出频率可通过外部直流控制电压改变的标称频率范围,以ppm表示.
VCXO晶振线性
定义为输出频率与最佳拟合直线控制电压的百分比变化.
启动时间
从振荡器上电到振荡器达到稳定振荡的具体时间.
输出负载
振荡器驱动其他设备或风扇的能力.TTL器件以可驱动的门数指定.CMOS输出以pF指定.
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